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场效应管+二极管
型号  文件下载  极性  VCEO
(V) 		 IC
(mA) 		 Min
(V) 		 Max
(V) 		 等效产品  封装形式 
CJ5853DC P-ch MOS
Di		 -20
20		 -2700
1000		 - - CJ2301
MBR0520
CJ5853DCB P-ch MOS
Diode		 -20
20		 -2700
500
CJ5853DDC P-ch MOS
Diode		 -20
20		 -2700
1000		 CJ2301
MBR0520		 MISWB3×2-8L(P0.65T0.75)
CJ7203KDW＊ N-ch MOS
Diode		 60
40		 340
350		 - - SOT-363
CJHD3101F P-ch MOS
Di		 -20
20		 -3200
2200		 - - - DFN3×2-8L-B
CJHD4P02F＊ P-ch MOS
Diode		 -20
20		 -2100
2200		 - - - DFN3×2-8L-B
CJLJF3117P P-ch MOS
Diode		 -20
30		 -3300
2000		 CJ2301
RB551V-30		 DFNWB2×2-6L-A(P0.65/0.75/0.85)
CJLJF3117PB P-ch MOS 
Diode		 -20
20		 -3.3
0.5		 DFNWB2×2-6L-U(P0.65/0.75/0.85)
CJMP06 P-ch MOS
Diode		 -20
20		 -2000
1000		 DFNWB2×2-6L-A(P0.65/0.75/0.85)
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